ניו-טק מגזין | אוקטובר 2026 | המהדורה הדיגיטלית

בין רכיבי הניסוי. תכונות אלה חשובות במיוחד במערכים גדולים, שבהם הבדלים בין רכיבים עלולים לצמצם את מרווחי הפעולה החשמליים. שמציג זרם זליגה נמוך מאוד Selector עדיין חייב להעביר זרם מספיק לפעולת תא האחסון. אם זרם ההולכה מוגבל מדי, הוא עלול לפגוע בכתיבה או בקריאה. מנגד, הגדלת זרם ההולכה באמצעות הקטנת מחסום המנהור עלולה להגדיל גם את זרם הזליגה. היתרון האפשרי של מחסום מנהור מדורג הוא היכולת לשפר את הפשרה הזאת באמצעות תכנון פרופיל האנרגיה. בודדים, Selector מעבר למדידת רכיבי S 1 R 1 החוקרים הציגו גם שילוב בתצורות Selector חובר ה- S 1 R 1 . בתצורת S 1 C 1 ו- . HfO x לרכיב זיכרון התנגדותי המבוסס על השילוב נועד להראות כיצד רכיב הגישה יכול לפעול בטור עם תא זיכרון ולסייע בהגבלת הזרם בהתאם למתח המופעל. לקבל, Selector חובר ה- S 1 C 1 בתצורת המשמש כרכיב לאגירת מטען חשמלי. ההדגמה מאפשרת לבחון את השימוש ברכיב הגישה לצורך שליטה בטעינה ובפריקה של קבל, עיקרון הרלוונטי גם לארכיטקטורות זיכרון המבוססות על אגירת מטען. אינה S 1 C 1 חשוב להדגיש כי הדגמת מסחרי DRAM שקולה להצגת זיכרון או למערך זיכרון נדיף מלא. היא בוחנת אפשרות לשלב את מנגנון הגישה עם רכיב קיבולי, אך אינה מוכיחה כשלעצמה זמני שמירת מידע, דרישות רענון או ביצועי מערכת שלמה. אינה מהווה S 1 R 1 באופן דומה, גם הדגמת גדול. Crossbar הוכחה לפעולה של מערך במערך כזה מצטרפות השפעות של התנגדות מוליכים, קיבולים טפיליים, חלוקת מתח בין תאים ושונות מצטברת של זרמי זליגה. כדי לקבוע עד כמה הטכנולוגיה מסוגלת לתמוך במערכים צפופים, יהיה צורך לבחון את פעולתה בתנאי קריאה וכתיבה של מספר גדול של תאים. האתגר הבא: ייצור אחיד על פני פרוסת סיליקון היתרון של חומרים דו-ממדיים הוא גם מה הודגם בשילוב עם רכיבי זיכרון?

אחד האתגרים בדרך לייצור תעשייתי. כאשר מעבר האלקטרונים תלוי במחסום שעוביו נמדד במספר קטן של שכבות אטומיות, גם שינוי קטן בעובי או פגם מקומי בממשק עלולים להשפיע באופן משמעותי על הזרם. בגלל התלות המעריכית של הסתברות המנהור ברוחב המחסום, אחידות השכבות אינה רק דרישה גיאומטרית. היא תנאי לשמירה על מאפיינים חשמליים דומים בין רכיבים. , רכיבי המחקר עדיין USC על פי הודעת מורכבים ידנית, והמעבר לייצור אחיד על מ״מ טרם 300 פני פרוסות סיליקון בקוטר הודגם. לכן, השונות הנמוכה שנמדדה בין רכיבי הניסוי היא תוצאה מעודדת, אך אינה מוכיחה עדיין יכולת ייצור המונית בתפוקה הנדרשת בתעשיית השבבים. אתגר נוסף הוא שילוב המבנים בתהליכי ייצור של מערכי זיכרון רב-שכבתיים. יש לבדוק את יציבות החומרים לאחר תהליכים תרמיים, את איכות הממשקים ואת ההתאמה לשלבי הייצור המאוחרים . Back - End - of - Line של השבב, המכונים נדרשות גם בדיקות אמינות ממושכות בתנאים המייצגים שימוש מעשי, לרבות חשיפה לשדות חשמליים גבוהים, שינויי טמפרטורה והפעלה חוזרת של רכיבים רבים במקביל. למרות המגבלות האלה, למחקר יש משמעות הנדסית ברורה. הוא מדגים שניתן לשלוט במאפייני המיתוג של רכיב גישה באמצעות תכנון מחסום האנרגיה ברמה האטומית, ולהשיג שילוב של אי ליניאריות גבוהה, מהירות ועמידות. אם ניתן יהיה לשחזר את התוצאות בתהליכי ייצור תעשייתיים ולשלב את הרכיב במערכים גדולים, הגישה עשויה לסייע בפיתוח זיכרונות צפופים יותר, לרבות מבנים תלת-ממדיים. בשלב הנוכחי, מחקרי בעל Selector ההישג הוא רכיב מאפיינים מבטיחים, והוכחה לכך שתכנון מחסום המנהור יכול להיות כלי נוסף בהנדסת זיכרונות עתידיים. מקור וקרדיט Hefei Liu et al ., Nature Electronics , September 2026. DOI : 10.1038/ s 41928 026-01704-2 USC Viterbi School of Engineering , September 2026 .

ELECTRONICS BUYERS GUIDE

Search thousands of products, manufacturers and suppliers in one place. Israel’s Electronics Industry Sourcing Platform

Products

Manufacturers

Suppliers

One RFQ to Multiple Suppliers Visit www.new-techguide.com

New-Tech Electronics Industry Buyers Guide

43 l New-Tech Magazine