New-Tech Magazine | Dec 2021

POWER SOLUTIONS מוסף מיוחד

רק השכבה העליונה והתחתונה. כפי , קבלים של הלולאה 1 a שמוצג בתמונה החמה מוצבים בצד השמאלי והימני של המרכזי ויוצרים MOSFET אלמנט ה- לולאות חמות זהות. נעשה שימוש בנתיבי SW 1, צמתי מיתוג כדי לחבר בין הצמתים למשרן הכח המרכזי דרך השכבה SW 2 .3 ושכבה 1 C התחתונה (מוצגת בתמונה ( SW 1, צמתי הנחושת בשכבה העליונה של מונחים ביזור גדול לצורך פיזור SW 2 . MOSFET החום של מקור הכח ואלמנט SW 1, SW 2 יחד עם זאת צמתי הנחושת בעלי רמת החשיפה הגבוהה הינם מקור של פליטת הפרעות אלקטרומגנטיות. אם הלוח ממוקם ליד אדמה כתשתית, נוצרת קיבוליות פרזיטית בין התשתית וצומת המיתוג מנחושת. הדבר מייצר שטף רעש בתדר גבוה מצומת המיתוג לתושבת הקרקע ומשפיע על מעגלים אחרים תואםהפרעות CISPR 25 במערכת. בתא ה- אלקטרומגנטיות, הרעש בתדר הגבוה זורם דרך משטח הקרקע של מערך ההפרעות . צומת המיתוג LISN אלקטרומגנטיות וה- החשוף פועל גם כאנטנה ובשל כך גורם לרעש הפרעות אלקטרומגנטיות מוקרן. עם זאת, לולאה חמה בודדת לא כוללת צומת מיתוג חשופה בשכבה התחתית, . בשכבה העליונה, 1 d כמוצג בתמונה , קבלי הלולאה החמה 1 b המוצגת בתמונה מוצבים רק בצד אחד של אלמנט ה- , דבר המאפשר לצומת המיתוג MOSFET להיות מחובר לספק הכח ללא שימוש בנתיב דרך צומת מיתוג. במערך של לולאה חמה בודדת, אלמנטי העליונים והתחתונים אינם MOSFET ה- 90 מיושרים, אחד מהם הינו מסובב ב- מעלות בכדי להפוך את הלולאה החמה לקטנה ככל האפשר. הגדלים של הלולאה החמה הכפולה והבודדת מושווים בתמונה בתיבה עם הרקע הצהוב. תיבות 1 f ו- 1 e אלו מציגות ששטח הלולאה החמה הבודדת הינו כחצי משטח הלולאה החמה הכפולה. של הלולאה 0402 חשוב לציין ששני קבלי 1 a החמה הכפולה המוצגים בתמונה מוצמדים 1210 אינם בשימוש ובקרי ה- בכדי ליצור את MOSFET לאלמנטי ה- הלולאה החמה הקטנה ביותר. מקולף 0402 המיסוך המולחם ליד קבל .1210 ליצירת קישוריות טובה של קבלי בנוסף לכך, המיסוך המולחם ליד משטח הספק מוסר בכדי לעשות שימוש באותו

Layout and photograph of a dual hot loop and single hot loop : 1 תמונה «

משרן בלולאה החמה הבודדת. לולאה חמה קטנה יותר משמעותה שההשראות הכוללת שלהלולאההינה נמוכה יותר. בכךמוקטנים של צומת המיתוג LC הפסדי מיתוג וצלצול וזרם המיתוג מופחתים. בנוסף לכך, הלולאה המוקטנת תורמת לפליטה מוקטנת 30 של הפרעות אלקטרומגנטיות בתדר מעל מגה-הרץ שכן פליטות מוקרנות משפיעות על הולכת הפרעות אלקטרומגנטיות בטווח תדרים זה. בקר ארבעת המתגים להנחתה – הגברה יכול ליצור את הלולאה החמה ADI של

הקטנה ביותר בשל סכמת הבקרה המתאימה לפיקים של הגברה והנחתה במצב זרם. נגד החישה לזרם מחובר בטור עם המשרן הראשי. בשונה מכך, חלקי בקרים של המתחרים עושים שימוש בסכמת בקרה שונה של פיקים של הגברה והנחתה כאשר נגד החישה לזרם נמצא בין התחתון MOSFET המקור של אלמנט ה- מציגה את 2 ביותר לבין האדמה. תמונה מערך ההנחתה – הגברה המומלץ של אחד מחלקים אלו. כפי שמוצג בתוך התיבה הצהובה, הלולאה החמה הינה גדולה יותר

The recommended buck-boost layout of competitor part LM5176 : 2 תמונה «

57 l New-Tech Magazine