ניו-טק מגזין | ספטמבר 2026 | המהדורה הדיגיטלית

ננומטר: כללי התכנון החדשים 200- ב Bonding

ניו-טק מגזינים גרופ »

EV Group ו- imec תוצאה חדשה של מציבה את חיבורי הנחושת בין שני ננומטר. 200 של pitch ווייפרים ב מאחורי המספר הזה מסתתר שינוי רחב יותר: אינטגרציה תלת־ממדית כבר אינה יכולה להיות שלב נפרד שמגיע בסוף תכנון השבב. איכות פני השטח, דיוק ההצמדה, עיוות הווייפר, תקציב החום וכללי התכנון החשמליים מתחילים להתכנס לאותו תהליך. EV ו־ imec הציגו 2026 סוף מאי ב Wafer ‑ to ‑ Wafer תהליך Group שבו רפידות הנחושת Hybrid Bonding ננומטר. רכב 200 של pitch מסודרות ב־ הבדיקה כלל ארבע שכבות חיווט בכל אחד משני הווייפרים עוד לפני חיבורם. לאחר 40 קטן מ־ overlay ההצמדה נמדד וקטור שנבדקו על פני ווייפר dies ננומטר בכל ה־ מ"מ. 300 בקוטר , שני משטחים Hybrid Bonding ב־ דיאלקטריים מוצמדים ישירות זה לזה, ובתוכם נפגשות רפידות הנחושת שיוצרות את החיבורים החשמליים האנכיים. הקטנת

כזה pitch גם תכנון הרפידות השתנה. ב־ אי אפשר להניח שכל סטייה תיספג בשטח מגע גדול. הגיאומטריה של רפידת הנחושת, צפיפות הנחושת באזור והאופן שבו מתקנים מראש עיוותים מערכתיים משפיעים ישירות על הסיכוי לקבל מגע חשמלי רציף. לאחר החיבור overlay , וקטור ה־ imec לפי dies מה־ 100% ננומטר ב־ 40 נשאר מתחת ל־ שנבדקו על הווייפר. החברה הציגה גם , daisy chain התפלגויות התנגדות של חיבורי אך בפרסום הפומבי לא נמסר סט מלא של או thermal cycling נתוני תשואה חשמלית, ננומטר. 200 של pitch אמינות ארוכת טווח ב־ מתייחס לדיוק היישור, לא 100% הנתון של 100% electrical yield ל־ . רפידות יכולות להיות מיושרות היטב ועדיין לסבול מהתנגדות גבוהה, מגע חלקי או חלל מגדיר אם שני overlay זעיר באזור החיבור. ה־ המבנים הגיעו למקום הנכון. מצב פני השטח קובע אם נוצר ביניהם חיבור חשמלי ומכני תקין. יש גם מחיר. Wafer ‑ to ‑ Wafer לתהליך die כאשר מחברים שני ווייפרים שלמים, פגום באחד מהם עלול לפגוע בתשואה

מאפשרת להעביר יותר אותות בין pitch ה־ שכבות הסיליקון, לקצר את המרחקים החשמליים ולחלק מערכת מורכבת למספר ננומטר, סטייה 200 שכבות פעילות. ב־ שהייתה נסבלת במארז מתקדם עלולה לפגוע באלפי חיבורים. ננומטר ממחישה שינוי רחב 200 תוצאת ה־ נע מהעולם המסורתי Hybrid Bonding יותר. אל אזור שבו תהליך החיבור Packaging של משפיע על ארכיטקטורת השבב. ליתוגרפיה, design , חומרים, מטרולוגיה, מכניקה ו- CMP נפגשים כעת באותו ממשק דק. rules הדיוק עובר אל המארז בוצעו בתהליך imec הניסויים של , שבו מצמידים שני Wafer ‑ to ‑ Wafer ווייפרים שלמים. מכיוון שהמבנים נוצרים מראש ברמת הווייפר, ניתן להגיע לדיוק גבוה ולצפיפות חיבורים שקשה להשיג בודדים. התהליך שפורסם dies בהרכבת שנועד CMP כחומר הדיאלקטרי, SiCN כלל לייצר משטח שטוח מאוד ושקיעה מבוקרת של ננומטרים בודדים ברפידות הנחושת, וכן תיקוני ליתוגרפיה שבוצעו לפני החיבור.

New-Tech Magazine l 22