New-Tech Magazine Jan 2023 | DIgital Edition

מרחיביםאתהטווח Microchip של SiC פתרונות של יישומיםעתירי-הספק

Perry Schugart ( פרי שוגרט ), Technical Staff Engineer – Product Marketing at Microchip Technology

של SiC פתרונות ה- Microchip

SiC מבוססי-ה- MOSFETs הקשיחות של ה- נתמכת על ידי תכן מדויק Microchip של שמוודא יכולת מיתוג חוזרת בתדירות גבוהה Unclamped Inductive Switching יותר מסוג ), דבר השולל את הצורך להוסיף UIS ( מבוסס- MOSFET כדי להגן על ה- snubber מסטרס של מתח-יתר (מפולת). SiC ה כאשר זרם הזורם דרך השראה מופרע באופן פתאומי, השדה המגנטי משרה כוח אלקטרומניע נגדי שמסוגל להפיק מתחים עצמו. ולכן, MOSFET גבוהים מאוד בתוך ה עבור התקני הספק, חיוני להגיע לרמה גבוהה של עמידות, שמוגדרת כאן כיכולת להתנגד כשהוא SiC של MOSFET לפגיעה בשלמות ה- ; אם לא, יידרשו רכיבים נוספים UIS סופג מפני SiC של MOSFET כדי להגן על ה-ה מפולת. בנוסף למבחר ההתקנים העמידים מציעים גם SiC של MOSFETs , ה- UIS ל- " כדי לעבור זרמים IGBT ביצועי קצר "דמויי ארעיים לא צפויים במערכת באופן בטוח. כדי לעמוד בדרישות יישומי הספק המשתמשים בתדרי מיתו ג גבוהים ובמתחי הפעלה גבוהים כדי להגדיל את היעילות ולהפחית את המשקל והנפח של הפתרון המוצע (כגון כלי רכב חשמליים,

ביקוש להתקני הספק גדל בהתמדה, ומה שמניע אותו הדחף מצד תעשיות

ה

עתירות-חדשנות כגון כלי רכב חשמליים, אנרגיה מתחדשת ומרכזי נתונים. ליישומי הספק כיום יש דרישות יותר ויותר קשוחות, בעיקר במטרה להשיג יעילות גבוהה יותר (ופחות הפסדי הספק כתוצאה מכך), יחד עם הורדה במשקל ובגודל. מבוססי-סיליקון IGBTs ו- MOSFETs מסורתיים, שפותחו ושופרו ללא הרף לאורך השנים, מפגינים את מגבלותיהם ביישומי הספק שבהם יש צורך בתדרי מיתוג גבוהים יותר, יכולת פיזור חום גבוהה יותר, משקל נמוך יותר וטביעת רגל קטנה יותר. ) הוא מוליך-למחצה בעל SiC סיליקון קרביד ( תחום תדרים רחב שמתגבר על המגבלות של טכנולוגיות הסיליקון עקב יכולתו לפעול במתחים, בתדרים ובטמפרטורות גבוהים 10 יותר ללא ספיגת כל נזק. למעלה מ- SiC שנים לאחר השקתו בשוק, הגיע כעת ה לבשלות ולאמינות שמאפשרות שימוש בו ביישומי ההספק הקריטיים ביותר, כגון כלי רכב, אנרגיה מתחדשת, מרכזי נתונים, ותעופה וחלל.

, ספקית מובילה של Microchip Technology מוליכים-למחצה ושל פתרונות בקרה מוטבעים חכמים, מחוברים ומאובטחים, מציעה לענף את תיק המוצרים הרחב והגמיש ביותר של דיודות SBDs ( SiC Schottky Barrier Diodes מסוג , מנהלי התקן הניתנים-להגדרת MOSFETs ,) תצורה עבור דוחפי שערים דיגיטליים בפורמט , בדידים (דיסקרטיים) או כאלה bare die של Microchip .) 1 המיועדים למודולי הספק (איור גם יכולה להתאים את מודולי ההספק לדרישות הספציפיות של יישומי הלקוח. עם ניסיון של שני עשורים ומעלה בתכן של SiC , פתרונות ה- SiC ובפיתוח של מציעות את רמות הביצועים, Microchip הקשיחות והאמינות הטובות ביותר בשוק, מה שמאפשר למתכננים להפחית הן את עלויות הפיתוח ואת משך הזמן של היישום מציעה גם את זמני מסירת Microchip לשוק. הטובים בתעשייה, דבר שמתאפשר SiC ה על ידי גישה המבוססת על רכישת פרוסות dual ממספר מקורות ועל ייצור בשיטת epi , שמעניקים ללקוחות ודאות בדבר SiC fabs מועדי האספקה.

New-Tech Magazine l 52