New-Tech Magazine Jan 2023 | DIgital Edition

אנרגיה מתחדשת, תעופה וחלל ויישומים לאחרונה Microchip תעשייתיים), השיקה , 3.3 kV למתח SiC של MOSFET בשוק ) הנמוך ביותר RDS ) on שכוללים את ה- ,) 25 mΩ בתעשייה (עד לרמה נמוכה של שכוללים את דירוג הזרם הגבוה SiC SBDs ו- .) 90 A בתעשייה ( 3.3 kV IGBTs למרות שנעשה כיום שימוש ב ביישומים רבים, מהירויות המיתוג שלהם הן מוגבלות, מה שגורם לאובדני מיתוג גבוהים ולגודל רב של המערכת. השימוש , מצד שני, מאפשר 3.3 kV SiC MOSFETs ב למתכננים להפחית הפסדים, גודל ומשקל של הפתרון; ולהפחית את מורכבותה של מערכת רמות פשוטות 2 המורכבת ממספר רמות ל- או die בלבד. שני ההתקנים זמינים בפורמט . package : יתרונות ויישומים SiC בהשוואה להתקני הספק מסורתיים מבוססי , פתרונות IGBTs ו- MOSFETs סיליקון, כגון מציעים את היתרונות Microchip של SiC ה העיקריים הבאים: טמפרטורת צומת גבוהה יותר וקירור ˆ נמוך יותר ויעילות גבוהה יותר R DS ) on ( משופר, , ועקב 3 מוליכות תרמית גבוהה יותר פי ˆ כך צפיפות הספק גבוהה יותר ויכולות זרם גבוהות יותר של האלקטרונים, 2 מהירות רוויה גבוהה פי ˆ ועקב כך מיתוג מהיר יותר והפחתה בגודל (בנוסף, מהירות המיתוג הגבוהה יותר מאפשרת שימוש במגנטים, שנאים, מסננים ורכיבים פסיביים קטנים יותר, ובכך את הקטנת טביעת הרגל של הפתרון) הפסדי מיתוג נמוכים יותר ˆ עבור 10 נמוך יותר פי failure - in - time קצב ˆ ) neutron susceptibility פגיעות ניטרונים ( במתחים הנקובים IGBTs בהשוואה ל- השראה טפילית (תועה) נמוכה ביותר ברמה ˆ SiC במודולי 2.9 nH של פחות מ- עם מוצרים אחרים SiC ניתן גם לשלב התקני , כגון מיקרו-בקרים, מעגלים Microchip של מודפסים לניהול הספק, חיישנים אנלוגיים, מקמ"שים אלחוטיים ובקרי מגע ומחוות, כדי ליצור פתרונות מלאים בעלויות נמוכות. השווקים והיישומים הטיפוסיים שבהם הם: Microchip של SiC עוסקים מוצרי ה- תחבורה: הקשיחות, העמידות ומתחי ˆ הם חיוניים SiC הפעולה הגבוהים של התקני ליצירת מהפכי וממירי מתח יעילים, וכן התקני הגנה לשימוש בכלי רכב חשמליים

Microchip של SiC תיק מוצרי ה- :1 איור

«

Microchip קרדיט:

Si MOSFET לעומת טמפרטורה ב- R DS(on( :2 איור

«

Microchip קרדיט:

53 l New-Tech Magazine