ניו-טק מגזין | נובמבר 2023 | המהדורה הדיגיטלית

SiC מבוסס- E-Fuse :1 תמונת שער, איור « Microchip Technology קרדיט:

מפסקי זרם של מצב-מוצק עבור מעגל מפסק זרם SiC השימוש ב של מצב-מוצק מוסיף מספר יתרונות בהשוואה לפתרונות מפסקי זרם מסורתיים. הטכנולוגיה הזו מאפשרת מיתוג מהיר ) הניתן להגדרה trip באמצעות פרופיל הפעלה ( , כדי LIN דרך תוכנה, למשל דרך ממשק 500–100 להפסקת מעגל תוך מיקרו-שניות, מהר יותר מהגישות המכניות המסורתיות, זאת הודות לתכנון מבוסס המצב-המוצק והמתח הגבוה שלה. ניתן לאפס כדי למנוע את E - Fuse את ה הצורך בהחלפת נתיכים פיזיים, דבר שמציע פתרון אמין לטווח ארוך במקרים שבהם המעגל מופסק לעיתים תכופות. השימוש של מצב-מוצק מבטל את E - Fuse בפתרון ה הסיכון הפוטנציאלי לקשת חשמלית בעת במתח גבוה למגעים מכניים. DC מיתוג מזרמי , Mircochip של E - Fuse מדגים טכנולוגיות ה- ,1200 V ו- 700 V במתח mSiC ™ עם מתגי LIN משלב חיישן זרם, מגברים, ממשק המכיל ציוד ™ 8- bit PIC ומיקרו-בקר היקפי בלתי-תלוי בליבה כדי לספק פתרון מלא ומשולב במידה גבוהה. כל הרכיבים לתחום הרכב. תכן AEC זמינים עם הסמכת ) TCC זה מיישם עקומת זמן-זרם אופיינית ( שעוזרת למתכננים במעבר מנתיכים או קונטקטורים מסורתיים, ומכילה זמן עמידות ) של עד short - circuit withstand time לקצר ( . 30 A מיקרו-שניות, עם זרם נקוב של עד 10 טעינה מהירה , רכבים מסחריים ורכבי שטח דורשים EVs יכולת טעינה מהירה. בעוד שניתן לטעון מכונית בחניה פרטית במשך הלילה, הרי שאוטובוסים וציוד בנייה חייבים לפעול ביעילות במשך כל היום או הלילה. האחרונים עוברים לערכות כדי לספק את 1000 V ואף של 800 V סוללות של רמות ההספק הדרושות לכלי רכב גדולים יותר עם מטען רב יותר. תכנוני המטען המובנה האלה דורשים רמות SiC גבוהות יותר של הספק, וטכנולוגיית ה מציעה פתרון אופטימלי לכך. התקנים מציעים למפתחים 1700 V ואף 1200 V הדורשים שולי תכן רחבים יותר. זה יכול להיתרגם לביצועי שיא גבוהים יותר עבור הרכב, פחות יתירות וייצור קל יותר של אלמנטים ברכב.

30kW SiC DC-DC ממיר :2 איור « Microchip Technology קרדיט:

המשמעות של היעילות הגבוהה יותר של מסיליקון היא IGBT בהשוואה ל- SiC ה- ) קטנים יותר, heatsinks הצורך בגופי קירור ( וכך ניתן להפחית את משקל הרכב. DC יש מדגים טכנולוגיה זמין של מטען - , המבוסס 30 kW מבודד עם הספק של DC בדירוג-מפולת 1200 V mSiC MOSFETs על . התכן 1200 V dual mSiC שלגים ועל דיודות יעילות שיא, מתח כניסה 98% הזה מפגין מעל 150 V –600 V ומתח יציאה של 650 V –750 V של ובתדירות מיתוג 50 A –60 A עם זרם מרבי של . מתווה המעגל המודפס עבר 140 kHz של אופטימיזציה לטובת בטיחות, זרם, סטרס מכני וחסינות מפני רעש. Three - Phase בנוסף, יש תכן ייחוס זמין של

) Power Factor Correction ( 30 kW PFC , בהתבסס על התקני Vienna בטופולוגיה של כדי לבצע את PFCs . בדרך כלל יש צורך ב- SiC ולשמור על הסטת המופע DC ל- AC ההמרה מ- כך שתהיה בתוך מגבלות AC של זרם הכניסה , וכך AC מוגדרות היטב כנגד מתח הכניסה ועיוות near - unity power factor ניתן להבטיח ) נמוך. THD הרמוני כולל ( בעתיד, הזנת אנרגיה מתוך ערכת הסוללות של הרכב בחזרה לרשת החשמל תהיה אופציית חובה. ניתן להדגים יכולת זו של טעינה דו- 1 kW SiC - based כיוונית על ידי תכן אחר של . Totem - Pole בסכמת PFC DC - DC ניתן לשלב באופן מודולרי הן את ה- . PFC והן את ה-

30kW Vienna PFC תכן ייחוס של :3 איור

« Microchip Technology קרדיט:

33 l New-Tech Magazine