New-Tech Magazine | Oct 2016

108 / 124

Components Communication Test&
Measurement
Power
Supply
Electro
Optics&Camera Motion Packaging &
Production
eGaN® FET from EPC-
Efficiant Power Conversion
Galim היא חברה מובילה בתחום EPC
Power לתחום ה-Nitrade - GaN
ומיצרת מוצרים שמשפרים Managment
באופן משמעותי את הנצילות, ההספק,
הנפח הפיסי והעלויות לכל קשת המוצרים
בתעשית האלקטרוניקה.
ע"י שלושה 2007 נוסדה בשנת EPC
60מהנדסים בעלי נסיון מצטבר של כ-
שנה כשאחד מהם שמשמש כמנכ"ל
- אלכס לידו שהיה אחד השותפים EPC
.Silicon Power MOSFET בהמצאת ה-
חלק מניסיונו רב השנים כולל גם
IR - את תפקיד המנכ"ל של חברת
12 במשך International rectifier
שנים.
אחת המטרות שהציבה לעצמה
וזהו חזון אחרית הימים, EPC
Silicon הוא להחיליף את כל ה-
eGaN בטכנולוגית FET ב-MOSFET
.(Enhecment GaN)
הרבה יותר ,יעיל GaN בטכנולגית FET
קטן יותר , בעל מוליכות גבוהה יותר וללא
ובנוסף (Reverse Recovery) QRR
עם DIEבמארז FET מיצרת את ה EPC
BGA ו- LGA בתצורת FOOT PRINT
באופן משמעותי FETמה שמקטין את ה-
ומוסיף ליעילות וההספק של המוצר.
נמכרים בעיקר EPC כיום מוצרי
לאפליקציות של ספקי כוח, מטענים
אלחוטיים, תקשורת סללורית, לווינים
ועוד... LOW COST
לבחינת המוצרים ניתן לקבל דוגמאות
EVALUATION ומעגלי בחינה -
.BOARD
EPC : ניתן למצוא מידע נוסף באתר
STGאידלסון יובל,
03-7331400
של חברתIGBTדריבר ל-
MURATA
השיקה לאחרונה קו MURATA חברת
מוצרים חדש שמיועד לשמש כדרייבר
ניזון IGBT ל-GATE. לרוב ה-IGBTל-
ממתחים לא סימטריים ולא סטנדרטיים
. בנוסף צריך -8.7/+17 ומקומיים כגון
למערכת IGBTלהיות בידוד בין דרגת ה-
לכן הדרייבר צריך ליהיות בעל בידוד
יצאה עם פתרון MURATA כניסה מוצא.
עם מואים DC/DCשל , למעשה, ממירי
כפי שצויין מעלה, לא סטנדרטיים.
ממירים עם מתחי MURATAכיום יש ל-
+15/5V, +20/-5V, +15V/- מוצר של
.8.7V
.24Vו- 5V,12V,15Vמתחי כניסה של
בידוד כניסה /יציאה גבוה מאוד ומתאים
.5.2KVגם לאפליקציות רפואיות -
.-40C - 100C טמפ,' עבודה גבוה של
סטנדרטי וקומפקטי. DIL24ו- SIP7 מארז
.6W ו- 2W,3W הספקים
STGאידלסון יובל,
03-7331400
מגבל הספק ניתן לכיוון בדיוק
גבוה
, שהוכרז לאחרונה על MAX175252
, הוא מגבל הספק MAXIM ידי חברת
דינמי, הראשון בתעשייה עם זרם בבקרה
חומנית. הרכיב משמש כהתקן הגנה
מתכוונן נגד מתח יתר, מתח חסר וזרם
חיצוני, pMOSFET יתר ובשימוש עם
הוא מגן גם על הרכיבים הניזונים מפני
וולט. התנגדות ±60 תקלות מתח עד
FET) של טרנזיסטור onהמצב הפתוח (
מילי אוהם. בזמן 31 המשולב בהתקן היא
ההפעלה, הרכיב מתוכנן להזרים זרם
גבוה לצורך טעינה של קבלים גדולים,
ובמצב של הגבלת זרם, הזרם מוגבל
החל מזמן קצר לאחר ההפעלה לערך
מגבולות הזרם x2 או x1, x1.5קבוע של
המתוכנת.
TRITECH LTD שרית,
073-2248851
מהיר Push–Pull מתג/ דוחף
MAX14912/ הכריזה על MAXIM חברת
, מעגלי דחיפה של הצד MAX14913
וולט, הקשיחים והמהירים 24הגבוה ל-
ביותר בתעשייה, מתאימים לקצב מיתוג
קילו הרץ. לרכיבים יש שמונה 200 של עד
מילי אמפר, ואפשר לקבוע 640מתגים ל-
את התצורה שלהם כדוחפי דחף–סחב
) למיתוג מהיר. זמן ההשהיה, push–pull)
מיקרו 1 מהכניסה למיתוג ביציאה, הוא
שנייה (מרבי). לכל אחד מהדוחפים יש
מילי אוהם 230התנגדות מצב פועל של
מילי אמפר 500(מרבי) בזרם עומס של
מעלות צלזיוס. 125 ובטמפרטורה של
ההגדרה והבקרה של היחידה מתבצעות
, שניתן לשרשר SPI דרך פינים או ממשק
.daisyאותו בשרשור
.6W ו- 2W,3W הספקים
TRITECH LTD שרית,
073-2248851
New-Tech Magazine l 108